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55納米射頻工藝

 

華力微電子基于55納米低功耗邏輯工藝平臺的基礎上建立55納米射頻工藝,可以滿足無線射頻類芯片產品的需要,此工藝平臺具有以下特點和優勢:

        核心電壓:1.2VIO電壓:2.5V

        較厚的頂部金屬銅對應的高Q電感

        成本有效的金屬氧化物金屬電容器MOM

•    噪聲隔離深N阱結構

 

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